يستفيد مشروع "All-GO-HEMT" من مزايا أكسيد الغاليوم (Ga2O3)، وهو مادة ذات فجوة نطاق فائقة الاتساع، تعتبر مرشحًا واعدًا للإلكترونيات القوية. يتيح Ga2O3 تصميمًا أكثر إحكاما، مما لا يزيد من كفاءة عمليات التحويل فحسب، بل يحسن أيضًا موثوقية الأنظمة. مقارنة بالمواد الراسخة مثل السيليكون، نيتريد الغاليوم وكربيد السيليكون، يوفر 2O3 إمكانات لزيادة الكفاءة لم يتم استغلالها بالكامل بعد.
هدف آخر لمشروع "All-GO-HEMT" هو إنشاء قاعدة مواد موثوقة لـ Ga2O3 والسبائك المطورة حديثًا مع الألومنيوم بأعلى جودة بلورية للبحث والصناعة. هذه الأساس ضروري، حيث أن تطوير مكونات عالية الأداء بتصميم مدمج وعمليات تصنيع محسنة محدود حاليًا بسبب عدم كفاية توفر المواد عالية الجودة. سيستخدم الشريك في المشروع Ferdinand-Braun Institut (FBH) قاعدة المواد هذه لتطوير نماذج أولية جديدة لمكونات الإلكترونيات القوية. سيتم بعد ذلك اختبار هذه النماذج الأولية من قبل الموجه الصناعي ZF Friedrichshafen AG لمعرفة مدى ملاءمتها للتطبيق الصناعي. علاوة على ذلك، سيتم تحليل سلسلة القيمة بأكملها من نمو البلورات إلى المكون النهائي من قبل الموجهين الصناعيين AIXTRON SE و Siltronic AG لتحديد وتقدير الفائدة الاقتصادية والبيئية لهذه التكنولوجيا في وقت مبكر.
